삼성전자가 8월 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 업계 최초로 공개하고, AI 시대에 대응하는 메모리 기술 비전을 제시했다. 이번 전시에서 삼성전자는 약 20평 규모의 전시 공간을 마련하고, AI 클라우드 서버를 형상화한 부스를 구성했다. 전시 공간은 하이라이트, 클라우드 AI, 엣지 AI 존으로 나뉘며, D램부터 NAND, 스토리지에 이르는 메모리 포트폴리오를 바탕으로 약 30개 제품을 전시했다.
행사 첫날인 8월 4일 오전 11시 40분(현지시간)에는 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 'Driving the wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture'를 주제로 기조연설을 진행했다. 연사들은 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고, AI 시스템의 성능과 전력 효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 설명했다. 특히 기조연설에서 400단 이상의 V10 BV-NAND를 업계 최초로 공개했다.
zHBM은 기존에 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 배치하는 대신, AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 방식이다. 이를 통해 AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 줄여 대역폭과 전력 효율을 높이고, 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다. 삼성전자에 따르면 zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공하며, 전성비는 최대 3배 향상되고 열 저항은 절반 이상 낮아진다. zHBM은 고객 맞춤형 설계가 가능한 3D 메모리 솔루션으로, 메모리와 AI 가속기 사이의 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 용량 확장이나 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다.
zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 NAND 플래시 솔루션으로, 기존 V-NAND의 수직 적층 기술과 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다. 제품명의 '-O'는 On-device AI 환경에 최적화되었음을 의미하며, 높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭, 빠른 응답 속도를 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리가 요구되는 환경에서 고성능을 지원한다.
삼성전자는 이번 행사에서 400단 이상의 10세대 V-NAND 'V10 BV-NAND'도 업계 최초로 공개했다. V10 BV-NAND는 웨이퍼 본딩 기술과 3 Stack 기술을 통해 초고적층을 구현했으며, 메모리 집적도는 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상됐다. 데이터 읽기·쓰기 성능과 I/O 속도도 전 세대 대비 개선됐다.
이밖에도 삼성전자는 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763, BM1773 등 차세대 메모리·스토리지 솔루션을 전시했다. 삼성전자는 지난 2월 1c D램과 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4를 양산 출하했고, 5월에는 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급했다. 또한 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용한 HBM5 목업을 공개했다. LPDDR5X-PIM은 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 최적화하고 전력 효율을 향상시킨 제품이다.